感应炉 SICG8-SL07D

■ 石英管双线圈感应晶体生长炉

• 坩埚区域温度分离
• 方便原工艺过渡
• 水平螺旋线圈，提高磁场平衡与双线圈匹配

■ 金属壳双线圈感应晶体生长炉

• 炉下放下出料，解决8英寸坩埚上取料的不便
• 出料时，坩埚与热场自动分离，提高炉次的重复性
• 独特的二次发热体
• 优化内置线圈绝缘
• 横向多点测温
• 提高炉采用特殊定制石墨硬毡

■ 双线圈技术

/Double Coll/

该技术解决了在晶体生长过程中，传统的单线圈感应加热不能对上下温区进行单独控制，容易造成温度梯度分布不均，影响晶体生长的质量和速度。双线圈技术通过对两个线圈单独控制，可以实现对源料区和籽晶区的温度单独控制。更好地控制晶体生长时的轴向温度梯度，加快晶体生长速率。当籽晶生长结束后，也可以通过籽晶区的线圈单独对生长结束的晶体进行退火处理，减小晶体内部的应力，提高晶体质量。

■ 高精度压力控制

/Edge Level Pressure Control/

长晶压力的稳定性是影响晶体生长的可控核心关键参数之一。压力会影响SiC粉升华过程中的气相组分、气流均匀性以及晶体生长的速度。压力的波动会引发SiC晶体的宏观和微观缺陷的产生，特别是高失重率，低压生长场景。
压力控制越精确，生长的晶体缺陷越少。现有技术的压力波动一般控制在±3Pa。公司研发的压力传感器和控制阀门及配套的自适应算法，可将压力稳定控制在±0.3Pa（设定压力在100-500Pa间）。

■ 新工艺

/New Growing Method/

【一次传质】工艺采用多孔石墨筒的新式坩埚设计，将源料置于坩埚壁与多孔石墨筒之间，同时加深整个坩埚以及增加坩埚直径，装料量增加的同时，增加了源料的蒸发面积。该工艺解决了由于源料表面随着生长的进行，源料上部重结晶，影响升华的物质通量，所产生晶体缺陷的问题。新工艺降低了源料区温度分布对晶体生长的敏感度，传质效率提高且稳定，生长后期降低碳包裹物的影响。【一次传质】可以采用不粘籽晶的无籽晶托固定方式，自由热膨胀，利于应力释放。【一次传质】工艺优化了热场，极大地提高了扩径的效率。

注：【新工艺】是指【一次传质】工艺

■ 半轴径分离技术

/Shaftdiameter Seperation/

半轴径分离技术是在坩埚上方增加一个热门，通过旋转隔热屏，实现散热面积的变化，能有效调节温度梯度。
在晶体生长中，随着生长界面下移，通过增加热屏开度使散热通量增加，在不需线圈运动情况下，使温度梯度保持在晶体生长所需范围内，且对径向温度梯度有一定影响，当晶体生长结束降温过程中，隔热屏关闭至最小开度，大大降低散热面积，使生长结束的晶体在较小的温度梯度，提升SIC晶体的质量。

■ 自动化技术

/Automation Technology/

取代人工搬运物料，信息智能交互，实现数字智能化工厂。

1. 自动完成进料及出料；
2. 料车自动平整定位，对地面平整度没有要求；
3. AGV+料车组合模式；
4. 有纹理导航、激光导航小车选择。

注：即将推出

碳化钽涂层/Tantalum carbide coating

碳化硅涂层/Silicon carbide coating

多孔石墨/Porous Graphite

保温毡等工具/Insulation felt and other tools