半导体先进技术

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新工艺

【一次传质】工艺采用多孔石墨筒的新式坩埚设计，将源料置于坩埚壁与多孔石墨筒之间，同时加深整个坩埚以及增加坩埚直径，装料量增加的同时，增加了源料的蒸发面积。该工艺解决了由于源料表面随着生长的进行，源料上部重结晶，影响升华的物质通量，所产生晶体缺陷的问题。新工艺降低了源料区温度分布对晶体生长的敏感度，传质效率提高且稳定，生长后期降低碳包裹物的影响。【一次传质】可以采用不粘籽晶的无籽晶托固定方式，自由热膨胀，利于应力释放。【一次传质】工艺优化了热场，极大地提高了扩径的效率。

注：【新工艺】是指【一次传质】工艺

轴径分离技术

【轴径分离】技术应用于电阻式长晶炉彻底解决轴径方向上的温度耦合现象。调整轴向温度梯度，提升晶体生长速度，径向温度梯度也随之发生改变，从而导致晶体生长界面的凹凸变化、应力增加，使得晶体缺陷增加。
电阻式长晶炉通过不同区域的电阻发热，达到籽晶区域和源料区域的温度分别控制，达到轴向温度梯度与径向温度梯度分离，从而稳定晶体生长面型的同时能够大幅度提高晶体生长速度。

温度闭环控制

该技术解决了在>2000°C以上高温的环境下对温度进行精确的测量及控制。当高温时，通常的热电偶易损坏且会产生偏差，需要采用红外测温。但在高温环境下，设备的内部件及加工的材料产生的挥发物，容易造成红外测温数据失真，产生较大的测量数据波动与偏差。碳化硅晶体生长时，挥发的碳化硅等蒸气会污染红外的测温通道，使红外测温无法在整个晶体生长周期保证准确，所以行业上通常都是采用功率控制，温度检测只为辅助参考。
本技术采用内外空间分离的测温方式，实现在极高温度环境下对温度的精准测量和控制，从而实现晶体生长全周期采用温度闭环控制，提高产品的良率及生产稳定性。

高精度压力控制

长晶压力的稳定性是影响晶体生长的可控核心关键参数之一。压力会影响SiC粉升华过程中的气相组分、气流均匀性以及晶体生长的速度。压力的波动会引发SiC晶体的宏观和微观缺陷的产生，特别是高失重率，低压生长场景。
压力控制越精确，生长的晶体缺陷越少。现有技术的压力波动一般控制在±3Pa。公司研发的压力传感器和控制阀门及配套的自适应算法，可将压力稳定控制在±0.3Pa（设定压力在100-500Pa间）。

双线圈技术

该技术解决了在晶体生长过程中，传统的单线圈感应加热不能对上下温区进行单独控制，容易造成温度梯度分布不均，影响晶体生长的质量和速度。双线圈技术通过对两个线圈单独控制，可以实现对源料区和籽晶区的温度单独控制。更好地控制晶体生长时的轴向温度梯度，加快晶体生长速率。当籽晶生长结束后，也可以通过籽晶区的线圈单独对生长结束的晶体进行退火处理，减小晶体内部的应力，提高晶体质量。

半轴径分离技术

半轴径分离技术是在坩埚上方增加一个热门，通过旋转隔热屏，实现散热面积的变化，能有效调节温度梯度。
在晶体生长中，随着生长界面下移，通过增加热屏开度使散热通量增加，在不需线圈运动情况下，使温度梯度保持在晶体生长所需范围内，且对径向温度梯度有一定影响，当晶体生长结束降温过程中，隔热屏关闭至最小开度，大大降低散热面积，使生长结束的晶体在较小的温度梯度，提升SIC晶体的质量。

自动化技术

取代人工搬运物料，信息智能交互，实现数字智能化工厂

• 自动完成进料及出料；
• 料车自动平整定位，对地面平整度没有要求；
• AGV+料车组合模式；
• 有纹理导航、激光导航小车选择。

注：即将推出