恒普可为各类组件、载体提供专门的碳化钽（TaC）涂层。通过恒普行业领先的涂层工艺，可以使得碳化钽（TaC）涂层获得高纯度、高温稳定性和高化学耐受性，可改善SiC/GAN晶体和EPI层的产品质量，并延长关键反应堆成分的寿命。

恒普推出全新一代SiC晶体生长热场材料——多孔碳化钽,主要用于气相组元过滤，调整局部温度梯度，引导物质流方向，控制泄露等。可与恒普科技另外一款固体碳化钽（致密）或碳化钽涂层，形成局部不同流导的构件。

恒普生产的先进石墨产品，主要应用于半导体等领域。凭借我们对先进材料和专业工程领域的深入了解，使得我们能够开发极具纯度和出色孔隙率的产品，同时能够保持优秀的绝缘特性。我们提供的高标准多孔石墨，能够提高效率，提高产量。在一系列应用中，我们的产品主要用于晶体生长【一次传质】新工艺。我们也愿意继续帮助制造商致力于在其产品开发中实现更高的性能和可靠性。

用于导电单晶生长，8-40目/mesh颗粒度精确可控，纯度不低于99.9995%纯度：指采用GDMS全元素检测（不含N元素），使用100%减去所测元素含量所得值，其中小于检测限的元素按照0%的浓度进行统计