New generation SIC crystal growth furnace, breakthrough industry core requirements

  2022年4月,恒普科技推出SIC感应晶体生长炉的新一代技术平台,突破SIC行业晶体长不快、长不厚,长不大的三大缺点,解决行业核心需求。

     随着电动汽车的碳化硅车型的陆续密集推出,带动当下SIC器件需求的井喷。在未来一段时间内SIC衬底的供应依然无法满足市场的需求。

     而当下国内主流的SIC晶体生长速度在0.1~0.2mm/h,晶体厚度在15~25mm,晶体尺寸从4英寸全面向6英寸切换。国际上主流的SIC晶体生长的速度在0.2~0.3mm/h,晶体的厚度为30~40mm,晶体尺寸由6英寸转向8英寸。

     无论是技术追赶,还是市场需求,在晶体质量(缺陷等)保证的前提下,把SIC晶体长快、长厚、长大,都是行业急迫需要解决的核心需求。

     在这个背景下,恒普科技推出新一代感应发热技术平台,并以新技术平台为基础,推出了2款感应式SIC晶体生长炉,解决SIC晶体长不快、长不厚、长不大的缺点。

 新感应晶体生长平台特点(部分):

1、全尺寸

     同时推出6英寸、8英寸的2款炉型,满足行业晶体尺寸加大的需求。

2、无籽晶托或超薄籽晶托

     自由热膨胀,利于应力的释放,减少由应力产生的缺陷。

     料区与籽晶区,更灵活的温度梯度调节。

3、固定式水平线圈

     无需调节线圈的轴向移动,减少工艺变量,提高工艺稳定性。

     对籽晶区的温场做到更精细的调整,使温度更均衡。

4、新热场

     装入更多原料,且利用率高。

     料区温度分布对长晶影响的敏感度下降。

     增加了蒸发面积,可在超低压力下生长。

     传质效率提高且稳定,降低再结晶影响(避免二次传质)。

     减少边缘缺陷的扩径技术。

     生长后期,降低碳包裹物的影响。

5、先进技术

     新炉型标准配置了温度闭环控制与高精度压力控制等先进技术。

     a.温度闭环控制

     SiC晶体在2000℃以上的高温下生长,对温度的稳定性要求极高,但由于SiC粉料挥发等原因,无法做到温度控制,而是采用功率控制(或温度控制+功率控制组合),恒普科技的新技术就解决了这个痛点。

    b.高精度压力控制

     SiC晶体生长炉在晶体生长时,通常压力控制的波动在±3Pa,恒普科技的新技术可以将压力控制在±0.3Pa,提高了一个数量级。

      宁波恒普真空科技股份有限公司 是一家以材料研究为基础,以高温热场环境控制为技术核心的金属注射成形(MIM)领域和宽禁带半导体领域的关键设备供应商,主要从事金属注射成形(MIM)脱脂烧结炉、碳化硅晶体生长炉、碳化硅同质外延设备等热工装备的研发、生产和销售。