感应炉 SICG6-M07

产品优势

6英寸与8英寸可调

  • 采用可置换线圈设计,炉壳同时满足6英寸及8英寸设计,可以在生产发展中实现设备的技术提升

下炉盖托盘升降

  • 可有效降低温度衰减率
  • 校准操作简单、便捷

先进技术

温度闭环控制

/Temperature Closed Loop Control/

该技术解决了在>2000°C以上高温的环境下对温度进行精确的测量及控制。当高温时,通常的热电偶易损坏且会产生偏差,需要采用红外测温。但在高温环境下,设备的内部件及加工的材料产生的挥发物,容易造成红外测温数据失真,产生较大的测量数据波动与偏差。碳化硅晶体生长时,挥发的碳化硅等蒸气会污染红外的测温通道,使红外测温无法在整个晶体生长周期保证准确,所以行业上通常都是采用功率控制,温度检测只为辅助参考。
本技术采用内外空间分离的测温方式,实现在极高温度环境下对温度的精准测量和控制,从而实现晶体生长全周期采用温度闭环控制,提高产品的良率及生产稳定性。

轴径分离技术

/Axial Diameter Separation Control/

【轴径分离】技术应用于电阻式长晶炉彻底解决轴径方向上的温度耦合现象。调整轴向温度梯度,提升晶体生长速度,径向温度梯度也随之发生改变,从而导致晶体生长界面的凹凸变化、应力增加,使得晶体缺陷增加。
电阻式长晶炉通过不同区域的电阻发热,达到籽晶区域和源料区域的温度分别控制,达到轴向温度梯度与径向温度梯度分离,从而稳定晶体生长面型的同时能够大幅度提高晶体生长速度。

新工艺

/New Growing Method/

【一次传质】工艺采用多孔石墨筒的新式坩埚设计,将源料置于坩埚壁与多孔石墨筒之间,同时加深整个坩埚以及增加坩埚直径,装料量增加的同时,增加了源料的蒸发面积。该工艺解决了由于源料表面随着生长的进行,源料上部重结晶,影响升华的物质通量,所产生晶体缺陷的问题。新工艺降低了源料区温度分布对晶体生长的敏感度,传质效率提高且稳定,生长后期降低碳包裹物的影响。【一次传质】可以采用不粘籽晶的无籽晶托固定方式,自由热膨胀,利于应力释放。【一次传质】工艺优化了热场,极大地提高了扩径的效率。

注:【新工艺】是指【一次传质】工艺

高精度压力控制

/Edge Level Pressure Control/

长晶压力的稳定性是影响晶体生长的可控核心关键参数之一。压力会影响SiC粉升华过程中的气相组分、气流均匀性以及晶体生长的速度。压力的波动会引发SiC晶体的宏观和微观缺陷的产生,特别是高失重率,低压生长场景。
压力控制越精确,生长的晶体缺陷越少。现有技术的压力波动一般控制在±3Pa。公司研发的压力传感器和控制阀门及配套的自适应算法,可将压力稳定控制在±0.3Pa(设定压力在100-500Pa间)。

■ 双线圈技术

/Double Coil/

该技术解决了在晶体生长过程中,传统的单线圈感应加热不能对上下温区进行单独控制,容易造成温度梯度分布不均,影响晶体生长的质量和速度。双线圈技术通过对两个线圈单独控制,可以实现对源料区和籽晶区的温度单独控制。更好地控制晶体生长时的轴向温度梯度,加快晶体生长速率。当籽晶生长结束后,也可以通过籽晶区的线圈单独对生长结束的晶体进行退火处理,减小晶体内部的应力,提高晶体质量。

半轴径分离技术

/Shaftdiameter Seperation/

半轴径分离技术是在坩埚上方增加一个热门,通过旋转隔热屏,实现散热面积的变化,能有效调节温度梯度。
在晶体生长中,随着生长界面下移,通过增加热屏开度使散热通量增加,在不需线圈运动情况下,使温度梯度保持在晶体生长所需范围内,且对径向温度梯度有一定影响,当晶体生长结束降温过程中,隔热屏关闭至最小开度,大大降低散热面积,使生长结束的晶体在较小的温度梯度,提升SIC晶体的质量。

■ 自动化技术

/Automation Technology/

取代人工搬运物料,信息智能交互,实现数字智能化工厂。

  1. 自动完成进料及出料;
  2. 料车自动平整定位,对地面平整度没有要求;
  3. AGV+料车组合模式;
  4. 有纹理导航、激光导航小车选择。

注:即将推出

工具包

碳化钽/Tantalum carbide coating

碳化硅涂层/Silicon carbide coating

多孔石墨/Porous Graphite

保温毡等工具/Insulation felt and other tools

水冷夹套式金属腔体SiC长晶炉,线圈与热场没有间隔,发热效率高且改变热场灵活。采用固定线圈,坩埚移动的方式来达成工艺的稳定执行。在满足了长晶需求的同时,更低的制造成本,使其在长晶效果和设备成本上达到一个较高的性价比。

感应炉 SICG6-M07
  • 长晶方式PVT
  • 加热平台感应加热
  • 长晶速度0.1-0.2mm/h
  • 长晶尺寸6 inch
  • 长晶高度15-25mm
  • 线圈类型N/A