8英寸双线圈感应炉，同时推出两个炉型！

2022年7月 恒普同时推出2款8英寸双线圈感应晶体生长炉，新推出的2款全新炉型，对应SIC感应晶体生长炉在8英寸或更大尺寸上的劣势，也积极对应行业客户的使用习惯和经验延续。

在碳化硅8英寸时代到来之际，随着坩埚的直径增长，感应线圈只能加热坩埚的表面，不同位置的径向温度梯度都会随之增大，而这样的参数变化不适合大直径的晶体生长。恒普在6月推出了新一代2.0版SIC电阻晶体生长炉，以【轴径分离】+【新工艺】为核心技术，更优化解决晶体的长大、长快、长厚的行业需求。这就突显SIC感应晶体生长炉的技术落后，为了对应行业客户的使用惯性及Know-How的延续，恒普推出了双线圈感应晶体生长炉，并且同时推出石英管（双线圈外置）和金属壳（双线圈内置）两款全新炉型。

双线圈的技术并不是新的技术路线，但是双线圈的相互干扰，特别是在坩埚中的发热互相干扰，对工艺调整存在很大难度，物质流传输及通道沉积都存在难点，为了克服8英寸感应晶体生长炉的问题点，恒普解决了双线圈对石墨坩埚的温度上下无法分离，做到了【准轴径分离】，并将技术同时使用在了两种炉型上，满足更多客户的使用习惯。

核心技术

• 坩埚区域温度分离  （相对分离）

• 采用特殊定制石墨硬毡

• 双水平式线圈

• 独特的二次发热体

• 坩埚与热场分离

• 物质流的传输导流控制

注：以上功能不是2款炉型都有。

产品&技术特点

一、SIC石英管双线圈（外置）感应晶体生长炉

技术特点：

• 坩埚区域温度分离

• 方便原工艺过渡

• 水平螺旋线圈，提高磁场平衡与双线圈匹配

二、SIC金属壳双线圈（内置）感应晶体生长炉

技术特点：

• 炉下方向出料，解决8英寸坩埚上取料的不便

• 出料时，坩埚与热场自动分离，提高炉次的重复性

• 独特的二次发热体

• 优化内置线圈绝缘

• 横向多点测温

• 采用特殊定制石墨硬毡