基本介绍

恒普推出全新一代SiC晶体生长热场材料——多孔碳化钽,主要用于气相组元过滤，调整局部温度梯度，引导物质流方向，控制泄露等。可与恒普科技另外一款固体碳化钽（致密）或碳化钽涂层，形成局部不同流导的构件。

由于热场中坩埚的材料，石墨、多孔石墨、碳化钽粉等使用不当，会带来碳包裹物增多等缺陷。另外在有些应用场合，多孔石墨的透气率不够，需要额外开孔来增加透气率。透气率大的多孔石墨，面临加工、掉粉、蚀刻等挑战。恒普突破性的推出大孔隙率的高纯度多孔碳化钽，孔隙率最大可以做到75%，国际领先。